MOS管、三极管和IGBT傻傻分不清？其实三者在符号、工作原理以及应用场景上都有所不同，一起来了解下！

MOS管

从符号上来看，MOS管的D、G、S三个极分别是漏极、栅极和源极，它利用电压来决定漏极与源极的通断，是一种电压控制型元件。如果给栅极一个电压，漏极和源极就会互通，但当栅极电压为零时，漏极与源极就会截止。此外，MOS管的频率可以达到千赫兹到兆赫兹。在大电压的情况下，内阻高只能降低功率，MOS管常用在频率高，电压要求低的电路中，如开关电源、车载充电机等。

三极管

从符号上来看，三极管有C、B、E三个极，分别指集电极、基极和发射极, 它的主要作用是小电流控制大电流。三极管是一种电流控制型元件，当半导体基极输入很小的电流时，集电极到发射极的电流会成倍增加，当基极电流为零时，集电极与发射极的电流将截止。三极管常用在电子产品的控制电路，信号放大电路等。

IGBT

IGBT是MOS管和三极管的综合体，也是电压控制型半导体。它是通过电压控制集电极与发射极的通断频率。IGBT无法做到MOS管的超高频率，但在大电压下内阻不变输出功率大，新能源汽车中电机控制器，空调压缩机内部用的就是IGBT半导体。

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