结型场效应管的结构

       结型场效应管是三只引脚的半导体器件，它有三个极，即栅极G、漏极 D和源极S。结型场效应管不需要偏置电流，只有电压控制。当结型场效应管的栅极G和源极S之间没有电压差时，它是导通的。但如果这两极间有电压差，就会对电流产生更大的阻碍，因此结型场效应管属于耗损器件。

       结型场效应管有N沟道和P沟道两种结构，对于N沟道结型场效应管，当一个负电压加在栅极时，流经漏极到源极的电流就会减小;对于P沟道结型场效应管，加在栅极的正电压会使它从源极到漏极的电流减小。图11-2所示为结型场效应管的结构图及电路图形符号。

在一块N型(或P型)半导体棒两侧各做一个P型区(或N型区)，就形成两个 PN结。把两个P区(或N区)并联在一起，引出一个电极，称为栅极 G)，在N型(或P型)半导体棒的两端各引出一个电极，分别称为源极(S)和漏极(D)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道，称为沟道。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。

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