世昌隆电子总结的MOSFET五种损坏原因

MOS管常见的5种损坏原因：

1、 雪崩破坏

如果在漏极-源极之间外加超出器件额定VD SS的浪涌电压，而且达到击穿电压V（BR）DSS(根据击穿电流其值不同)并超出一定的能量后就发生破坏的现象，在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压，并进入击穿区而导致破坏的模式，会引起雪崩；

2、 器件发热损坏

由超出安全区域引起发热而导致的，发热的原因，分为直流功率和瞬态功率两种。直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热；瞬态功率原因：外加单触发脉冲负载短路开关损耗（接通，断开）内置二极管的TRR损耗（上下桥臂短路损耗与温度和工作频率是相关的），器件正常运行时不发生的负载短路等，引起的过电流造成瞬时局部发热而导致破坏。另外由于热量不相配或开关频率太高，使芯片不能正常散热时，持续的发热，使温度超出沟道温度导致热击穿的破坏；

3、 内置二极管破坏

在DS端间构成的寄生二极管运行时，由于在Fly back时,功率MOSFET的寄生双极晶体管运行，导致此二极管破坏的模式；

4、 由寄生振荡导致的破坏

此破坏方式在并联时尤其容易发生，在并联功率MOS管时未插入栅极电阻，而直接连接时发生的栅极寄生振荡，高速反复接通、断开漏极-源极电压时，在栅极-漏极电容Cgd和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡，产生破坏；

5、 栅极电涌、静电破坏

主要有因在栅极和源极之间，如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏，及栅极过电压破坏和由上电状态中，静电在GS两端，而导致的栅极破坏。